Корпорация IXYS, один из ведущих мировых производителей силовых полупроводников и интегральных схем (ИС) для управления питанием, транспорта, медицины и управления двигателями, объявила о расширении линейки силовых MOSFET-транзисторов семейства 650V X2-class HiPerFET.

Транзисторы с быстродействующими восстанавливающими диодами, низким сопротивлением открытого транзистора и токами до 150 А оптимизированы для мягкого переключения режимов резонансных преобразователей энергии.

Благодаря быстродействующим защитным диодам в транзисторах HiPerFETsTM обеспечивается очень мягкое восстановление, что приводит к снижению уровня электромагнитных помех (ЭМП), особенно в полумостовых и мостовых преобразователях напряжения.

Как и других транзисторах IXYS, в новых устройствах используется принцип компенсации заряда и запатентованная технология, в результате чего силовые МОП-транзисторы имеют малые сопротивления открытого канала и заряд затвора. Благодаря положительному температурному коэффициенту сопротивления в открытом состоянии они могут работать параллельно для получения более высоких значений коммутируемых токов.

Транзисторы можно эффективно использовать в резонансных источниках питания, в устройствах с большими токами разряда, приводах постоянного и переменного токов, преобразователях постоянного тока, в сервоприводах робототехники, зарядных устройствах, инверторах солнечных батарей и светодиодного освещения.

Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220, TO-263, корпус SOT-227, TO-247, PLUS247, TO-264 и PLUS264.

Например,транзисторы IXFA22N65X2, IXFH46N65X2, IXFK120N65X2 и IXFN150N65X2 обеспечивают долговременные токи через переход сток-исток 22, 34, 120 и 145 А, соответственно. В таблице приведены характеристики некоторых транзисторов X2-class HiPerFETTM, а на рисунке приведена функциональная схема универсального солнечного инвертора с их использованием. Инвертор содержит повышающий преобразователь с корректором коэффициента мощности (PFC) и мостовоой инвертора, в котором использовано четыре транзистора IXFH80N65X2 (М1, М2, М3, М4) и один транзистор типа IXTH80N65X2 (М5), оптимизированный для корректоров коэффициента мощности.